IPB90N06S4L04ATMA2 vs IRF2907ZSTRLPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB90N06S4L04ATMA2 제조: Infineon 및 IRF2907ZSTRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPB90N06S4L04ATMA2 IRF2907ZSTRLPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.94 $1.55
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPB90N06S4L04ATMA2 —
Technology OptiMOS T2, N-channel enhancement mode IR HEXFET / IR MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) 360 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 150 W —
On-State Resistance R_DS(on) (typ @ VGS=10V) 3.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th)] —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TO263-3-2 (D2PAK) D2PAK (TO-263AB) surface mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (SMD)
MSL 레벨 MSL1 (unlimited floor life) —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested —
RoHS / Halogen-Free Yes (Green Product) —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage V(BR)DSS — 75 V
연속 드레인 전류 (TC=25°C) — 170 A
연속 드레인 전류 (TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS = 10 V — 4.5 mOhm
RDS(on) typical at VGS = 10 V — 3.5 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) — 300 W
동작 접합 온도 — -55 C to +175 C
핀 수 — 3 (Gate, Drain, Source)
Packaging — Tape and Reel (left orientation)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
RoHS 상태 — Compliant
Avalanche Rating — Repetitive avalanche allowed up to TJ(max)

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