IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPC50N04S5L5R5ATMA1 제조: Infineon 및 BSC019N04LSTATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPC50N04S5L5R5ATMA1 BSC019N04LSTATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.36 $1.21
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 50 A —
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 5.5 mΩ —
Gate Threshold VGS(th) Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) —
Power Dissipation (Tc) 42 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC 3.6 K/W —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C -55 C to +150 C
패키지 PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
Avalanche Rating 100 % Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
MSL 레벨 — 1 (unlimited)
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

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