IPC50N04S5L5R5ATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPC50N04S5L5R5ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC50N08S5N102ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 - 40V 50A 5.5mΩ OptiMOS Auto MOSFET | Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IPC50N04S5L5R5ATMA1 | IAUC50N08S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.36 | $0.51 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Mode | Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 50 A | — |
| Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) | 60 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 5.5 mΩ | — |
| Gate Threshold VGS(th) | Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) | — |
| Power Dissipation (Tc) | 42 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC | 3.6 K/W | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C | -55°C to +175°C |
| 패키지 | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 °C | — |
| Avalanche Rating | 100 % Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 50 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1394 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 60 W |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-TDSON-8-33 |
| Qualification | — | AEC-Q101 |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |