IPC90N04S5L3R3ATMA1 vs BSC0993NDATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPC90N04S5L3R3ATMA1 제조: Infineon 및 BSC0993NDATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPC90N04S5L3R3ATMA1 BSC0993NDATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.96 $1.32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.3 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.7 V to 2.7 V (logic level) —
Total Power Dissipation (TC=25°C) 62 W —
동작 접합 온도 -55°C to +175°C —
Storage Temperature Range [DATA_NEEDED: storage temp range] —
패키지 PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TISON-8
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL Moisture Sensitivity MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Peak Reflow Temperature 260°C —
Qualification AEC-Q101 automotive qualified —
Avalanche Tested 100% (production-level) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Technology — OptiMOS 5 trench MOSFET
Channel Mode — Enhancement
동작 온도 범위 — -55C to +150C (junction)
ESD Protection — Yes (integrated)
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

데이터시트 & 자료

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