IPD031N03LGATMA1 vs IPB90N06S4L04ATMA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD031N03LGATMA1 제조: Infineon 및 IPB90N06S4L04ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD031N03LGATMA1 IPB90N06S4L04ATMA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.41 $0.94
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 OptiMOS T2, N-channel enhancement mode
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 94 W (Tc) —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.1 mΩ —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] —
Output Charge (Qoss) Ultra low (per datasheet tagline) —
동작 온도 -55 °C to +175 °C (junction) —
패키지 PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Mounting Tab Drain (electrically connected) —
Avalanche Energy Rated Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) —
RoHS 상태 Compliant —
MSL 레벨 1 MSL1 (unlimited floor life)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPB90N06S4L04ATMA2
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) — 360 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 150 W
On-State Resistance R_DS(on) (typ @ VGS=10V) — 3.4 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th)]
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C
Peak Reflow Temperature — 260 °C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
Avalanche Tested — 100% avalanche-tested
RoHS / Halogen-Free — Yes (Green Product)

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