IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD60R210PFD7SAUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD60R145CFD7ATMA1 제조: Infineon 및 IPD60R210PFD7SAUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.05 $0.54
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
패키지 TO-252AA (DPAK) surface mount —
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
동작 온도 -55C to +150C (junction) —
실장 유형 Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount (SMT)
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) —
Series CoolMOS CFD7 —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS 상태 Compliant —
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS PFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 16 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 210 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 64 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Package Type — TO-252 (DPAK)
Manufacturer Package Designator — PG-TO252-3-344
Pin Configuration — 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source
동작 온도 범위 — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Application Segment — Consumer-grade SMPS

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