IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD60R145CFD7ATMA1 제조: Infineon 및 IPD80R1K4P7ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD60R145CFD7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.05 $0.62
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) N-Channel Superjunction
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
패키지 TO-252AA (DPAK) surface mount PG-TO252-2 (DPAK)
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) Integrated, fast recovery
동작 온도 -55C to +150C (junction) —
실장 유형 Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain/Tab, Source)
Series CoolMOS CFD7 CoolMOS P7
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 4 A
On-Resistance (RDS(on)) typ/max — 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V (typ)
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
전력 손실 (Ptot) — 32 W
동작 접합 온도 — -55C to +150C
REACH Status — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청