IPD60R210PFD7SAUMA1 vs IPD60R600P7ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD60R210PFD7SAUMA1 제조: Infineon 및 IPD60R600P7ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD60R210PFD7SAUMA1 | IPD60R600P7ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.54 | $0.71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS PFD7 | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET | Superjunction (SJ) / CoolMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 16 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 210 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | 64 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Package Type | TO-252 (DPAK) | — |
| Manufacturer Package Designator | PG-TO252-3-344 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (SMT) | Surface Mount |
| Pin Configuration | 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (TJ) | -55C to +150C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (compliant) | — |
| Application Segment | Consumer-grade SMPS | — |
| Part Number | — | IPD60R600P7ATMA1 |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | — | 6 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 490 mOhm (max) |
| Power Dissipation (PD, TC) | — | 30 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| MSL 레벨 | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Generation | — | CoolMOS 7th generation (P7, successor to P6) |
| Ordering Code Suffix | — | ATMA1 = Tape & Reel, 13-inch |