IPD70N10S312ATMA1 vs IPD35N10S3L26ATMA2 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD70N10S312ATMA1 제조: Infineon 및 IPD35N10S3L26ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD70N10S312ATMA1 | IPD35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.92 | $1.05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA1 | — |
| Product Family | OptiMOS-T Power-Transistor | OptiMOS-T |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | 35 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 125 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 11.1 mΩ @ 70 A, 10 V VGS | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 4355 pF @ 25 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 65 nC @ 10 V | — |
| Operating Temperature (TJ) | -55 °C to +175 °C | — |
| 패키지 | PG-TO252-3-11 (DPAK, 2 Leads + Tab) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Avalanche Tested | 100 % (per datasheet) | — |
| RoHS Compliance | Green product, RoHS compliant | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | — | 24 mOhm |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 71 W |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | — | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] |
| 동작 온도 범위 | — | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| 핀 수 | — | 3 (Drain, Source, Gate + tab) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS-T) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |