IPD70N10S312ATMA2 vs IPB020N10N5LFATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD70N10S312ATMA2 제조: Infineon 및 IPB020N10N5LFATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD70N10S312ATMA2 | IPB020N10N5LFATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.69 | $2.62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA2 | — |
| Technology | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) | N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | 125 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| 패키지 | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 (unlimited floor life) | 1 |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 Linear FET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 176 A |
| Silicon-Limited Drain Current | — | 289 A |
| Package-Limited Drain Current | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) | — | 10.2 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 2.0 mΩ |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 313 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V |
| Marking Code | — | 020N10LF |