IPD70N10S3L12ATMA2 vs ISC045N03L5SATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD70N10S3L12ATMA2 제조: Infineon 및 ISC045N03L5SATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD70N10S3L12ATMA2 | ISC045N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.86 | $0.51 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD70N10S3L12ATMA2 | ISC045N03L5SATMA1 |
| Technology | OptiMOS-T (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS 5 / Trench |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 70 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| On-State Resistance R_DS(on) typ @ VGS=10V | 11.5 mOhm | — |
| On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] | — |
| Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation PD at TC | 125 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55 C to +175 C | — |
| 패키지 | PG-TO252-3-11 (DPAK) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 63 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V @ ID=250 µA |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 13 nC @ VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 870 pF @ VDS=15 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| 동작 온도 범위 | — | -55 °C to +150 °C |