IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD80R1K4P7ATMA1 제조: Infineon 및 IPD60R145CFD7ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R1K4P7ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD80R1K4P7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.62 $1.05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Technology N-Channel Superjunction CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 4 A —
On-Resistance (RDS(on)) typ/max 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
전력 손실 (Ptot) 32 W —
동작 접합 온도 -55C to +150C —
패키지 PG-TO252-2 (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
핀 수 3 (Gate, Drain/Tab, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS 상태 Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy Rated Yes —
Body Diode Integrated, fast recovery Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
동작 온도 — -55C to +150C (junction)
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

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