IPD90N10S406ATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD90N10S406ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6N009ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD90N10S406ATMA1 IPD90N10S406ATMA1 - 100V 90A N-Channel MOSFET | Infineon

IPD90N10S406ATMA1 - 100V 90A N-Channel MOSFET | Infineon

IPD90N10S406ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD90N10S406ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.72 $1.60
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD90N10S406ATMA1 —
Family / Series OptiMOS —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 90 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 136 W —
Gate Drive Level Normal Level (10 V typical Vgs) —
Avalanche Energy Rating (EAS) 250 mJ —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
Storage Temperature Range -55 °C to +175 °C —
패키지 / 케이스 PG-TO252-3-313 (DPAK) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) —
MSL 레벨 MSL1 (260 °C peak reflow) 1
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Built-in Body Diode Yes (single with built-in diode) —
Avalanche Tested 100% Avalanche tested —
Packaging Tape & Reel (Cut Tape / Reel options available) —
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
펄스 드레인 전류 — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
패키지 — PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

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