IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN70R1K4P7SATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPN80R4K5P7ATMA1 제조: Infineon 및 IPN70R1K4P7SATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPN70R1K4P7SATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 - 700V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN70R1K4P7SATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPN80R4K5P7ATMA1 IPN70R1K4P7SATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.30 $0.48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
패키지 PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Superjunction (CoolMOS P7)
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Product Series — CoolMOS P7
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 700 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 1.4 ohm class (per '1K4' suffix)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Power Dissipation (PD) at TC — 6.2 W
동작 온도 범위 — -55C to +150C (TJ)
Configuration — Single with built-in diode
핀 수 — 3 (Gate, Drain, Source)
DPAK Footprint Compatible — Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet)
MSL 레벨 — 1 (per JEDEC J-STD-020)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청