IPP120N08S403AKSA1 vs IPP100N12S305AKSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPP120N08S403AKSA1 제조: Infineon 및 IPP100N12S305AKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPP120N08S403AKSA1 IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPP120N08S403AKSA1 IPP100N12S305AKSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.15 $2.05
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 120 A —
Pulsed Drain Current (bondwire-limited) 245 A at 25 C —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 278 W (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) 2.8 mOhm typical at VGS=10 V, ID=100 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max —
Total Gate Charge (Qg) 167 nC —
Input Capacitance (Ciss) 11550 pF —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.54 K/W —
동작 접합 온도 -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
패키지 TO-220-3-1 (PG-TO220-3-1) TO-220 (PG-TO220-3-1)
실장 유형 Through Hole Through Hole
MSL 레벨 MSL1 (peak reflow up to 260 C) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Avalanche Rating 100% avalanche-tested —
RoHS 상태 Compliant (Green Product) —
Channel Type N-Channel enhancement mode —
Technology Family OptiMOS —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS trench
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
펄스 드레인 전류 — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
핀 수 — 3
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

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