IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs IQE020N04LM6CGATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQE012N03LM5CGSCATMA1 제조: Infineon 및 IQE020N04LM6CGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQE012N03LM5CGSCATMA1 | IQE020N04LM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.55 | $1.75 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 6, TrenchFET-class |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 34 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | 224 A | — |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | 1.15 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ, per Merlin listing) | — |
| 패키지 | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 접합 온도 | -55 °C to +175 °C | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 166 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 107 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V | — | 2.0 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| 동작 온도 범위 | — | -55°C to +150°C |
| Configuration | — | Single N-Channel, source-down |