IQE036N08NM6CGSCATMA1 vs IQE020N04LM6CGATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQE036N08NM6CGSCATMA1 제조: Infineon 및 IQE020N04LM6CGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 | IQE020N04LM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.88 | $1.75 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 125 W | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6) | OptiMOS 6, TrenchFET-class |
| Configuration | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling | Single N-Channel, source-down |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) | -55°C to +150°C |
| Packing | Tape and Reel (suffix ATMA1) | — |
| Voltage Rating | 60 V to 100 V category (80 V nominal) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 166 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 107 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V | — | 2.0 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| 패키지 | — | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) |
| MSL 레벨 | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |