IQE220N15NM5ATMA1 vs IAUS300N08S5N011TATMA1 비교
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Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IQE220N15NM5ATMA1 | IAUS300N08S5N011TATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.84 | $2.65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 Power-Transistor | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 22 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V (typ at 46 µA) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 14.4 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 14 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 340 pF | — |
| 출력 구성 | Single N-Channel | — |
| 패키지 | PG-TSON-8-5 (Source-Down) | PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -55C to +150C (junction) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS-5 (trench MOSFET) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 300 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 375 W |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | — | 1.1 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3 V (max) |
| Total Gate Charge (Q_G) @ 10V | — | 231 nC |
| Output Capacitance (C_OSS) | — | 130 pF (typ) |
| Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) | — | 16.25 nF (typ) |
| 동작 온도 범위 | — | -55 C to +175 C (Tj) |
| Number of Channels | — | 1 |
| Automotive Qualified | — | Yes (Infineon automotive part) |