IQE220N15NM5CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQE220N15NM5CGATMA1 제조: Infineon 및 IQE036N08NM6CGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQE220N15NM5CGATMA1 | IQE036N08NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.55 | $0.82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | [DATA_NEEDED: ID at Ta] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 22 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| 패키지 | PG-TTFN-9-3 (Source-Down) | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C (estimated from Tj max) | -55 C to +175 C (junction, Tj) |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 5 | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 핀 수 | 9 (TTFN) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 118 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 16.7 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V (max) |
| Power Dissipation at Tc | — | 125 W |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Configuration | — | Single N-channel, Source-Down |