IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 비교
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Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.65 | $1.42 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 7 (trench) | OptiMOS 7 (Trench-Gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 440 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 57 A | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 150 W | — |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) | 0.46 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V | — |
| 패키지 | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) | PG-TTFN-9-3 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity / Channel Type | Single N-Channel | N-Channel |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Topology Suitability | Hard- and soft-switching | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 422 A |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | — | 0.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | +175 degrees C |
| 동작 온도 범위 | — | -55 degrees C to +175 degrees C |
| Qualification | — | Industrial grade per Infineon datasheet |