IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQD020N10NM5CGATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 제조: Infineon 및 IQD020N10NM5CGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQD020N10NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.78 | $1.28 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | — |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| 패키지 | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 26 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | — | 273 A |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 2.0 mΩ (at VGS=10V) |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 333 W |
| 동작 온도 범위 | — | -55°C to +175°C |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Qualification | — | Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) |