IQFH55N04NM6ATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 비교
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Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IQFH55N04NM6ATMA1 | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.38 | $1.42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C | 53 A | — |
| Pulsed Drain Current @ TC=25°C | 451 A | — |
| Static R_DS(on) (typ) | 0.55 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 214 W | — |
| 패키지 | PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based) | PG-TTFN-9-3 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| 동작 접합 온도 | -55°C to +175°C | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation) | OptiMOS 7 (Trench-Gate) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| AEC-Q100 | [DATA_NEEDED: automotive qualification status] | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 422 A |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | — | 0.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | +175 degrees C |
| 동작 온도 범위 | — | -55 degrees C to +175 degrees C |
| Qualification | — | Industrial grade per Infineon datasheet |