IR2011SPBF vs IR2011STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR2011SPBF 제조: Infineon 및 IR2011STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IR2011SPBF IR2011STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.18 $0.71
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side and Low-Side, Inverting High-Side and Low-Side (Independent)
출력 수 2 —
Offset Voltage (High-Side, max) 200 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 1 A / 1 A (typ) —
Propagation Delay (typ) 80 ns —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Input Logic Compatibility CMOS / LSTTL, down to 3.0 V —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes (on VS pin) dV/dt immune
동작 온도 범위 -40 C to +125 C —
패키지 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) Lead-Free, RoHS Compliant
Tube / Reel Packaging Tube (per Infineon PBF convention) —
Number of Drivers — 2 (Half-Bridge)
Peak Source Current — 1 A (typical)
Peak Sink Current — 1 A (typical)
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (operational to +200 V)
Logic Input Compatibility — 3.0 V CMOS or LSTTL
Propagation Delay (typ.) — 80 ns
Turn-On Rise Time (typ.) — 35 ns
Turn-Off Fall Time (typ.) — 20 ns
Offset Voltage Rating — 200 V
동작 온도 — -40 C to +125 C

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