IR21531STRPBF vs IR2127STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR21531STRPBF 제조: Infineon 및 IR2127STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IR21531STRPBF IR2127STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.70 $0.71
Configuration Half-Bridge High-Side
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
출력 수 2 (high-side, low-side) 1
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
상승 시간 80 ns 80 ns (typical)
하강 시간 45 ns 60 ns (typical)
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) Non-Inverting
동작 온도 -40C to +125C —
패키지 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (3.90 mm body)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
RoHS 상태 Compliant (ROHS3) —
Supply Voltage Range — 12 V to 20 V
Output Voltage (Offset) — up to 600 V
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns (typical)
동작 온도 범위 — -40C to +125C
MSL 레벨 — MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free / RoHS — Pb-free (PBF), RoHS compliant
dV/dt Immunity — Yes (high-side floating channel)
Integrated Current Sense — Yes (cycle-by-cycle comparator)

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