IRF2907ZSTRLPBF vs IPB90N06S4L04ATMA2 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRF2907ZSTRLPBF 제조: Infineon 및 IPB90N06S4L04ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRF2907ZSTRLPBF | IPB90N06S4L04ATMA2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.55 | $0.94 |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | 75 V | — |
| 연속 드레인 전류 (TC=25°C) | 170 A | — |
| 연속 드레인 전류 (TC=100°C) | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| RDS(on) max at VGS = 10 V | 4.5 mOhm | — |
| RDS(on) typical at VGS = 10 V | 3.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Maximum Power Dissipation (TC = 25 C) | 300 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55 C to +175 C | — |
| Technology | IR HEXFET / IR MOSFET | OptiMOS T2, N-channel enhancement mode |
| 패키지 | D2PAK (TO-263AB) surface mount | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| 핀 수 | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (SMD) | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (left orientation) | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche allowed up to TJ(max) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPB90N06S4L04ATMA2 |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 90 A |
| Pulsed Drain Current (I_D,pulse) | — | 360 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 150 W |
| On-State Resistance R_DS(on) (typ @ VGS=10V) | — | 3.4 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th)] |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | — | ±20 V |
| 동작 온도 범위 | — | -55 °C to +175 °C |
| MSL 레벨 | — | MSL1 (unlimited floor life) |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 °C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche-tested |
| RoHS / Halogen-Free | — | Yes (Green Product) |