IRFB4110PBF vs IRF1310NSTRLPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFB4110PBF 제조: Infineon 및 IRF1310NSTRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFB4110PBF | IRF1310NSTRLPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.55 | $0.84 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A (bond-wire limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.5 mΩ | 36 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 3.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 370 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55 °C to +175 °C | — |
| 패키지 | TO-220AB (through-hole) | D2PAK (TO-263AB) |
| Technology | HEXFET (planar DMOS) | IR MOSFET (HEXFET) |
| 실장 유형 | Through Hole | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant (Pb-free suffix) | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 42 A |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 73.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 160 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +175C |
| Built-in Diode | — | Yes (intrinsic body diode) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Configuration | — | Single with built-in diode |