IRFR4105TRPBF vs IPD30N06S215ATMA2 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFR4105TRPBF 제조: Infineon 및 IPD30N06S215ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFR4105TRPBF | IPD30N06S215ATMA2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.58 | $0.36 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel Enhancement Mode |
| Technology | HEXFET (5th generation IR MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D at Tc) | 27 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) | 45 milliohm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS max) | 20 V | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | 22.7 nC | — |
| Power Dissipation (P_D at Tc) | 68 W | — |
| 패키지 | TO-252AA (DPAK) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free, PBF suffix) | — |
| Packaging Type | Tape and Reel (TRPBF) | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Avalanche Energy (E_AS) | [DATA_NEEDED: E_AS rating] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 136 W |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-TO252-3-11 (DPAK) - 3-Pin (2+Tab) |
| 동작 온도 | — | -55 C to +175 C (junction) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| Lead-Free / RoHS | — | Green package (lead free), RoHS compliant |
| Gate Threshold Type | — | Logic-level compatible |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |