IRFR4105TRPBF vs IRF7469TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFR4105TRPBF 제조: Infineon 및 IRF7469TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFR4105TRPBF | IRF7469TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.58 | $0.37 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (5th generation IR MOSFET) | IR MOSFET™ (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D at Tc) | 27 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) | 45 milliohm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS max) | 20 V | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | 22.7 nC | — |
| Power Dissipation (P_D at Tc) | 68 W | — |
| 패키지 | TO-252AA (DPAK) | 8-SO (SOIC-8) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C | -55°C to +150°C (Tj) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free, PBF suffix) | Compliant |
| Packaging Type | Tape and Reel (TRPBF) | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| Avalanche Energy (E_AS) | [DATA_NEEDED: E_AS rating] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C | — | 9 A |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 17 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 15 nC |
| Gate-Source Voltage (Vgs) Max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (Pd) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | [DATA_NEEDED: Qrr] |