IRLHS6242TRPBF vs IRLML6346TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRLHS6242TRPBF 제조: Infineon 및 IRLML6346TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRLHS6242TRPBF | IRLML6346TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.12 | $0.18 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (trench MOSFET) | HEXFET Power MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±12 V | — |
| Continuous Drain Current (TA) | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 12 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | 11.7 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 14 nC | — |
| Power Dissipation (TA) | 1.98 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 9.6 W | — |
| 패키지 | 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad | Micro3 / SOT-23 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -55°C to +150°C | — |
| Gate Drive Level | Logic-level (4.5V); 2.5V-capable | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.4 A (TA=25C) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | 63 mOhm |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Drive Capability | — | 2.5V logic-level |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) |
| 동작 접합 온도 | — | -55C to +150C |
| MSL 레벨 | — | 1 |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |