IRLR2905TRPBF vs IRLR2705TRLPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRLR2905TRPBF 제조: Infineon 및 IRLR2705TRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRLR2905TRPBF IRLR2705TRLPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.61 $0.32
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) IR MOSFET (HEXFET, 5th generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
동작 접합 온도 -55C to +175C —
패키지 TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH)
Gate Drive Logic-level compatible —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET (HexFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 28 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 40 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 68 W
동작 온도 범위 — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant
Configuration — Single N-Channel

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