IRLR2905TRPBF vs IRLR2705TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR2905TRPBF por Infineon e IRLR2705TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR2905TRPBF IRLR2705TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,61 $0,32
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) IR MOSFET (HEXFET, 5th generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH)
Gate Drive Logic-level compatible —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET (HexFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 28 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 40 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 68 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant
Configuration — Single N-Channel

Fichas técnicas e recursos

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