IRLR2905TRPBF vs IRLR7843TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRLR2905TRPBF 제조: Infineon 및 IRLR7843TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF - 30V 161A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR7843TRPBF - 30V 161A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR7843TRPBF ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IRLR2905TRPBF IRLR7843TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.61 $0.48
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
동작 접합 온도 -55C to +175C —
패키지 TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant Yes (PBF suffix = lead-free)
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic-level compatible —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 161 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 4.5 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 34 nC
Gate-to-Source Voltage Max — ±20 V
Avalanche Energy (Eas) — Fully characterized
동작 온도 범위 — -55C to +175C

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