IRLR2905TRPBF vs IRLR7843TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR2905TRPBF por Infineon e IRLR7843TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR2905TRPBF IRLR7843TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,61 $0,48
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant Yes (PBF suffix = lead-free)
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic-level compatible —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 161 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 4.5 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 34 nC
Gate-to-Source Voltage Max — ±20 V
Avalanche Energy (Eas) — Fully characterized
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C

Fichas técnicas e recursos

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