IRLTS2242TRPBF vs IRFML8244TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRLTS2242TRPBF 제조: Infineon 및 IRFML8244TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRLTS2242TRPBF IRFML8244TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.14 $0.15
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -6.9 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.0 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 32 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS absolute max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Gate Drive Voltage (logic level) 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
패키지 TSOP-6 (Micro 6) SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Package Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB] —
MSL 레벨 MSL1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1
RoHS 상태 Compliant Compliant (Pb-free, halogen-free)
Lead-Free Yes —
할로겐 프리 Yes —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) — 5.8 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
RDS(on) max @ VGS=10V — 24 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — 5.4 nC
Power Dissipation (PD) max — 1.25 W (Ta)
Pin Configuration — Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S)
Qualification — Consumer grade

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청