IRS2005STRPBF vs IR21271STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRS2005STRPBF 제조: Infineon 및 IR21271STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRS2005STRPBF IR21271STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.18 $1.82
기능 Half-Bridge Gate Driver —
Driven Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Channel Type Independent —
출력 수 2 1
Logic Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.6 A —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range min/max] 9 V to 20 V
Undervoltage Lockout VCC and VBS UVLO integrated —
Input Compatibility 3.3 V / 5 V logic-level inputs —
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -40 °C to +125 °C —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Product Status Active —
RoHS 상태 Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) —
Configuration — High-Side or Low-Side
Input Polarity — Non-Inverting
High-Side Offset Voltage — 600 V max
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
상승 시간 — [DATA_NEEDED: rise time]
하강 시간 — [DATA_NEEDED: fall time]
동작 온도 — -40C to +125C
패키지 — 8-SOIC (3.90 mm)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청