IRS2110SPBF vs 2ED2738S01GXTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRS2110SPBF 제조: Infineon 및 2ED2738S01GXTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRS2110SPBF 2ED2738S01GXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.72 $0.95
Driver Type High and Low Side, Half-Bridge —
Number of Drivers 2 —
출력 구성 Non-Inverting —
Peak Source/Sink Current 2.5 A / 2.5 A —
Offset Voltage (High-Side) Up to 500 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (25 V abs max) —
Propagation Delay (typ.) 120 ns —
Rise Time (typ.) 25 ns —
Fall Time (typ.) 17 ns —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS with hysteresis TTL
동작 온도 범위 -40 C to +125 C —
패키지 16-SOIC (SOIC-16 W) PG-VSON-10-5 (3x3 mm) with EP
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant (Pb-free) Compliant
MSL 레벨 3 2 (1 year)
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Output Current (Source, peak) — 4.0 A
Output Current (Sink, peak) — 8.0 A
Output Current (Source, typ) — 1.0 A
Output Current (Sink, typ) — 2.0 A
출력 수 — 1
Input Type — Non-Inverting
Supply Voltage (VDD/VCC) — 6 V to 20 V
Bootstrap Supply Voltage — Up to 600 V (HS pin rating)
Propagation Delay (typ) — 120 ns
Channel-to-Channel Match — 40 ns
Rise/Fall Time (1 nF load) — 1.5 ns / 1.5 ns
Negative Transient Immunity (HS) — -10 V to +20 V transient
Under-Voltage Lockout — VCC and Bootstrap
Bootstrap Diode — Integrated
동작 온도 — -40C to +125C

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