IS43TR16256A-125KBL vs W634GU6RB-11TR 비교
다음의 상세 나란히 비교: IS43TR16256A-125KBL 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 및 W634GU6RB-11TR 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | IS43TR16256A-125KBL | W634GU6RB-11TR |
|---|---|---|
| 브랜드 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Winbond |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $19.09 | $32.00 |
| 메모리 유형 | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| 데이터 속도 | 1600MT/s | 1866 MT/s |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | 20 ns |
| Supply Voltage (VDD) | 1.5V ± 0.075V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.5V ± 0.075V | — |
| CAS 레이턴시 | 11 | 13 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| 패키지 | 96-TWBGA (9x13mm) | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (Tc) | -40°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | — | 1.35V (1.5V compatible) |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |