IS43TR16256A-125KBL vs W634GU6RB12I 비교
다음의 상세 나란히 비교: IS43TR16256A-125KBL 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 및 W634GU6RB12I 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | IS43TR16256A-125KBL | W634GU6RB12I |
|---|---|---|
| 브랜드 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Winbond |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $19.09 | $5.60 |
| 메모리 유형 | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| 데이터 속도 | 1600MT/s | 800 MHz (DDR3L-1600) |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.5V ± 0.075V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.5V ± 0.075V | — |
| CAS 레이턴시 | 11 | 11 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 |
| 패키지 | 96-TWBGA (9x13mm) | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (Tc) | -40°C to +95°C (TCASE) |
| RoHS | Compliant | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | — | 1.35V |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 20 ns |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Speed Grade | — | -12I (DDR3L-1600 11-11-11) |