IS43TR16256AL-107MBLI-TR vs IS43TR16256AL-107MBL 비교
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI-TR - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI-TR ✓ 활성ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IS43TR16256AL-107MBLI-TR | IS43TR16256AL-107MBL |
|---|---|---|
| 브랜드 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.60 | $6.00 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | 20 ns |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V ± 0.1 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V ± 0.1 V | — |
| 패키지 | 96-TWBGA (9x13 mm) | 96-TWBGA (9x13 mm) |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| ECCN | EAR99 | — |
| Part Status | Active | — |
| 공급 전압 | — | 1.35 V |
| CAS 레이턴시 | — | 13 |
| 동작 온도 | — | 0°C to +95°C (case) |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |