IS43TR16256AL-125KBLI-TR vs IS43TR16256AL-107MBLI 비교
다음의 상세 나란히 비교: IS43TR16256AL-125KBLI-TR 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 및 IS43TR16256AL-107MBLI 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ 활성ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IS43TR16256AL-125KBLI-TR | IS43TR16256AL-107MBLI |
|---|---|---|
| 브랜드 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.25 | $2.00 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| 데이터 버스 폭 | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| CAS 레이턴시 | 11 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V ± 0.1V, -0.067V | — |
| Backward Compatible Voltage | 1.5V | — |
| Row Cycle Time (tRC) | 20 ns | — |
| Row Active Time (tRAS) | 20 ns | — |
| 동작 온도 범위 | -40°C to +95°C (TC) | — |
| 패키지 | 96-TWBGA (9x13 mm) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Burst Length | 8 | 8 and 4 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Refresh Modes | Auto-refresh, Self-refresh | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 메모리 구성 | — | 256M x 16 |
| Clock Speed | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| 공급 전압 | — | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| 패키지 / 케이스 | — | 96-TWBGA (9x13mm) |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Memory Interface | — | Parallel |