ISC011N03L5SATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: ISC011N03L5SATMA1 제조: Infineon 및 BSC022N04LS6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | ISC011N03L5SATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.47 | $0.66 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | 96 W | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -55 C to +175 C (TJ) | -55 C to +175 C (junction) |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 79 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| 핀 수 | — | 8 |