ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC033N03LF2SATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISC028N03LF2SATMA1 제조: Infineon 및 ISC033N03LF2SATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
ISC033N03LF2SATMA1 ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 ISC028N03LF2SATMA1 ISC033N03LF2SATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.86 $0.81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V 2.35 V
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
동작 접합 온도 -55 C to +175 C —
패키지 PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-62 (Source-Down, 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) —
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
MPN — ISC033N03LF2SATMA1
Part Family — OptiMOS LF2 (<= 40V)
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS trench (<= 40V)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 108 A
Continuous Drain Current (ID) at TA — 22 A
Maximum On-Resistance RDS(on) max — 3.3 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Power Dissipation (PD) at TA — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Junction Temperature (TJ) max — [DATA_NEEDED: junction temperature max]
Configuration — Single N-channel, source-down
RoHS 상태 — Compliant

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