ISC033N03LF2SATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISC033N03LF2SATMA1 제조: Infineon 및 ISC045N03L5SATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
ISC033N03LF2SATMA1 ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 ISC033N03LF2SATMA1 ISC045N03L5SATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.81 $0.51
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
MPN ISC033N03LF2SATMA1 —
Part Family OptiMOS LF2 (<= 40V) —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS trench (<= 40V) OptiMOS 5 / Trench
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 108 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum On-Resistance RDS(on) max 3.3 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
패키지 PG-TDSON-8-62 (Source-Down, 5x6 mm) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 °C to +150 °C
Junction Temperature (TJ) max [DATA_NEEDED: junction temperature max] —
Configuration Single N-channel, source-down —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] —
Part Number — ISC045N03L5SATMA1
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W

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