ISZ056N03LF2SATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISZ056N03LF2SATMA1 제조: Infineon 및 IQE020N04LM6CGSCATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9

IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9

IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 ISZ056N03LF2SATMA1 IQE020N04LM6CGSCATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.49 $1.65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series StrongIRFET 2 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
동작 온도 범위 -55 C to +175 C -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention)
패키지 PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current at TA=25°C — 25 A
Continuous Drain Current at TC=25°C — 166 A
Maximum RDS(on) — 2.0 mΩ (per IQE part-number decode)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 107 W
핀 수 — 9
Lead-Free — Yes
MSL 레벨 — 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs)
Technology — OptiMOS 6 trench

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