K3KCKC0BM-JGCT vs K3KL3L30QM-JGCT 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3KCKC0BM-JGCT 제조: Samsung Electronics 및 K3KL3L30QM-JGCT 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3KCKC0BM-JGCT | K3KL3L30QM-JGCT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $0.00 |
| 메모리 유형 | LPDDR5 SDRAM | Volatile - DRAM |
| Density | 64 Gb | — |
| 인터페이스 | LPDDR5 (Low Power Double Data Rate 5) | — |
| 메모리 구성 | [DATA_NEEDED: organization (x32/x16)] | — |
| Package Type | FBGA (fine-pitch ball grid array) | — |
| Ball Count | [DATA_NEEDED: ball count] | [DATA_NEEDED: ball count] |
| Speed Grade Suffix | JGCT | — |
| Max Pin Speed (family reference K3LKCKC0BM-MGCP) | 6400 Mbps | — |
| Supply Voltage Core (VDD1) | [DATA_NEEDED: VDD1 voltage] | — |
| Supply Voltage I/O (VDD2/VDDQ) | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Refresh Mode | Self-refresh with partial array self-refresh (PASR) | — |
| Power Features | DVFSC, deep power-down | — |
| RoHS 상태 | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | [DATA_NEEDED: packing type and standard quantity] | Plateau (tray style, per distributor data) |
| Technology | — | LPDDR5X |
| 메모리 크기 | — | 64 Gb |
| Memory Organization | — | x64 |
| Maximum Data Rate | — | 7500 Mbps/pin |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel LPDDR5X |
| Clock Rate | — | [DATA_NEEDED: clock rate] |
| Supply Voltage VDD | — | [DATA_NEEDED: VDD voltage] |
| Supply Voltage VDDQ | — | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] |
| Access Time / Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| 패키지 | — | [DATA_NEEDED: package code and dimensions] |
| Product Status | — | Sampling (per distributor data) |