K3KL2L20DM-JGCT vs K3K8K80BM-JGCT 비교
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Samsung Electronics
K3K8K80BM-JGCT - Samsung LPDDR DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3K8K80BM-JGCT ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K3KL2L20DM-JGCT | K3K8K80BM-JGCT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $20.80 | $3.10 |
| 메모리 유형 | LPDDR5X SDRAM | Low Power DRAM (LPDDR) component |
| Density | 48 Gb | [DATA_NEEDED: die density in Gb] |
| 메모리 구성 | x64 | [DATA_NEEDED: x8/x16 organization] |
| 데이터 속도 | 7500 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD1) | 1.8 V | — |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 0.5 V | [DATA_NEEDED: I/O supply voltage] |
| Core Voltage Rail | 0.9 V | — |
| 동작 온도 | -25C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | 441-ball FBGA | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) | [DATA_NEEDED: LPDDR4X or LPDDR5] |
| Product Status | Mass Production | — |
| Generation | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) | — |
| Application Segment | AI devices, automotive, mobile | — |
| RoHS 상태 | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS compliance] |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Product Family | — | K3K mobile DRAM (LPDDR) component series |
| Maximum Data Rate | — | [DATA_NEEDED: Mbps] |
| Supply Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: core supply voltage] |
| Package Type | — | FBGA (Ball Grid Array) |
| Ball Count | — | [DATA_NEEDED: package ball count] |
| Speed Grade Suffix | — | J (per Samsung speed-grade coding) |
| Packing Suffix | — | CT (per Samsung packing-code convention) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |