K3KL2L20DM-JGCT vs K3LK4L40DM-BGCT 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3KL2L20DM-JGCT 제조: Samsung Electronics 및 K3LK4L40DM-BGCT 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K3KL2L20DM-JGCT | K3LK4L40DM-BGCT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $20.80 | $40.50 |
| 메모리 유형 | LPDDR5X SDRAM | DRAM (SDRAM component) |
| Density | 48 Gb | [DATA_NEEDED: Density] |
| 메모리 구성 | x64 | — |
| 데이터 속도 | 7500 Mbps | [DATA_NEEDED: Data Rate] |
| Supply Voltage (VDD1) | 1.8 V | — |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 0.5 V | — |
| Core Voltage Rail | 0.9 V | — |
| 동작 온도 | -25C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| 패키지 | 441-ball FBGA | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) | — |
| Product Status | Mass Production | — |
| Generation | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) | — |
| Application Segment | AI devices, automotive, mobile | — |
| RoHS 상태 | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Organization (x-width) | — | [DATA_NEEDED: Organization] |
| Supply Voltage Class | — | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Package Type | — | BGA (per -BGC ordering-code suffix) |
| Package Ball Count | — | [DATA_NEEDED: Ball Count] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] |
| Lead Free | — | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Packaging | — | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] |