K3KL4L40EM-BGCU vs K3KLELE0DM-BGCU 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3KL4L40EM-BGCU 제조: Samsung Electro-Mechanics 및 K3KLELE0DM-BGCU 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electro-Mechanics
K3KL4L40EM-BGCU - 12GB LPDDR5X DRAM 8533Mbps | Samsung
K3KL4L40EM-BGCU ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | K3KL4L40EM-BGCU | K3KLELE0DM-BGCU |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 수명 종료 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $78.75 | $0.00 |
| 메모리 유형 | LPDDR5X DRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 96 Gbit (12 GB) | 144 Gb |
| 메모리 구성 | x64 | x64 |
| 데이터 속도 | 8533 Mbps | 8533 Mbps |
| 인터페이스 | LPDDR5X (LPDDR5 JEDEC-based) | LPDDR5X |
| 패키지 | 496-ball FBGA | 496-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | — |
| Application | Tablet, Smartphone, Wearable Devices | — |
| Product Family | Samsung LPDDR5X (K3KL4L40EM series) | — |
| Companion Densities | 64 Gbit (K3KL3L30DM-BGCU), 128 Gbit (K3KL5L50DM-BGCU) | — |
| Power Characteristic | Ultra-low-power mobile DRAM | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25 C to +85 C |
| RoHS 상태 | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Ball Count | 496 | — |
| Storage Class | Volatile memory (DRAM) | — |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.9 V |
| Supply Voltage (VDDCA) | — | 0.5 V |
| Application Class | — | AI and in-vehicle devices |
| Product Status | — | EOL |
| Power Efficiency vs Previous Generation | — | Approx. 25% better (per Samsung) |
| Speed vs Previous Generation | — | Approx. 1.25x faster (per Samsung) |