K3KL7L70EM-MGCU vs K3KL1L10GM-JGCT 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3KL7L70EM-MGCU 제조: Samsung Electronics 및 K3KL1L10GM-JGCT 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3KL7L70EM-MGCU | K3KL1L10GM-JGCT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $12.00 | $30.90 |
| 메모리 유형 | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X DRAM (SDRAM) |
| Density | 12 Gbit | 32 Gb (4 GB) |
| 메모리 구성 | x32 | — |
| 패키지 | 315-ball FBGA | 441-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (soldered-down BGA) |
| Product Status | Mass Production | — |
| 인터페이스 | LPDDR5X | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Supply Voltage (Core) | [DATA_NEEDED: core supply voltage] | — |
| 데이터 속도 | [DATA_NEEDED: data rate in Mbps/pin] | LPDDR5X-7500 (up to 7500 MT/s) |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | Self-refresh supported (per LPDDR5X family) | — |
| Power Modes | Deep sleep, self refresh, power down (per LPDDR5X family) | — |
| Fab Location | Johor, Malaysia (listed by distributor) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Interface Organization | — | x64 |
| Generation | — | LPDDR5X (premium low-power DRAM) |
| Speed vs Previous Generation | — | Up to 1.25x faster than LPDDR5 |
| Power Efficiency vs Previous Generation | — | Approximately 25% better than LPDDR5 |
| Application Class | — | AI edge devices, in-vehicle devices, flagship mobile |
| 공급 전압 | — | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage] |
| Access Latency | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / tRCD / tRP timings] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |