K3LK8K80CM-MFCP vs K3LK8L80CM-MGCT 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3LK8K80CM-MFCP 제조: Samsung Electronics 및 K3LK8L80CM-MGCT 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3LK8K80CM-MFCP | K3LK8L80CM-MGCT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $0.00 |
| 메모리 유형 | LPDDR5 SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 48 Gbit (6 GB) | 32 Gbit (4 GB) |
| 메모리 구성 | [DATA_NEEDED: organization (x width)] | x32 |
| Pin Speed | 6400 Mbps | — |
| Data Rate (package) | 51.2 GB/s (family max) | — |
| 인터페이스 | LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface) | LPDDR5X (JEDEC low-power DDR) |
| 패키지 | 315-ball FBGA (MFCP) | FBGA-315 (315-ball) |
| Ball Count | 315 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| 동작 온도 | -40 C to +105 C (automotive-grade) | -25C to +85C |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] | — |
| Power Saving vs LPDDR4X | Approximately 20% | — |
| Generation | LPDDR5 (5th generation low-power DRAM) | — |
| Application Grade | Automotive-grade storage chip | — |
| Place of Origin | Johor, Malaysia | — |
| RoHS 상태 | unknown | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Max Data Rate | — | 7500 Mbps |
| Supply Voltages | — | 0.5 V, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V (multi-rail) |
| Power Efficiency | — | ~25% improvement vs LPDDR5 |
| Application Class | — | Mobile, PC, automotive, on-device AI |
| Speed Grade Suffix | — | CM-MGCT |
| Package Family | — | FBGA -> BGA -> surface mount |
| Typical End Products | — | Smartphones, tablets, edge AI devices |
| Refresh / Standby Modes | — | Self-refresh, deep power-down (per LPDDR5X protocol) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |